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Technologies of CIT


CIT만의 독보적인 기술들을 소개합니다.

Atomic Sputtering Epitaxy (ASE)


ASE 증착 기술은 RF 스퍼터링 방식을 기반으로 원자를 한 층씩 정밀하게 쌓아가는 기술입니다.

외부 전기적 및 기계적 진동을 차단하고, 내부에서는 단결정 타겟을 사용하여 기판에 원자가 한 층씩

정확하게 쌓이도록 합니다.


이 기술을 통해 PTFE, 사파이어, 유리 등 다양한 기판에서도 고품질의 구리 박막을 생산할 수 있습니다.


Application

반도체, 통신용 회로 등

ASE 증착 기술

ASE 증착 기술은 RF 스퍼터링 방식을 기반으로 원자를 한 층씩 정밀하게 쌓아가는 기술입니다.


외부 전기적 및 기계적 진동을 차단하고, 내부에서는 단결정 타겟을 사용하여 기판에 원자가 한 층씩 정확하게 쌓이도록 합니다.


이 기술을 통해 PTFE, 사파이어, 유리 등 다양한 기판에서도 고품질의 구리 박막을 생산할 수 있습니다.


Application

  • 반도체, 통신용 회로 등

Technical paper

Flat-surface-assisted and self-regulated oxidation resistance of Cu(111)

Oxidation can deteriorate the properties of copper that are critical for its use,  particularlyinthesemiconductorindustryandelectro-opticsapplications1–7.Thishas prompted numerous studies exploring copper oxidation and possible passivation strategies 8. 

In situ observations have, for example, shown that oxidation involves stepped surfaces: Cu2O growth occurs on flat surfaces as a result of Cu adatoms detaching from steps and diffusing across terraces9–11. 

But even though this mechanismexplainswhysingle-crystallinecopperismoreresistanttooxidationthan polycrystalline copper,the factthatflat copper surfaces can be free of oxidation has not been exploredfurther. Here we reportthe fabricationof copperthinfilms that are 

semi-permanentlyoxidationresistantbecause theyconsistofflat surfaceswithonly occasional mono-atomic steps. 

First-principles calculations confirmthat mono-atomic stepedges are as impervious to oxygenas flat surfaces and that surface 

adsorption ofO atoms is suppressed once anoxygenface-centred cubic (fcc) surface  site coverage of 50% has been reached. 

These combined effects explain the exceptional oxidationresistance of ultraflat Cu surfaces.